Infineon Technologies - BSS169H6327XTSA1

KEY Part #: K6421419

BSS169H6327XTSA1 価格設定(USD) [533066個在庫]

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品番:
BSS169H6327XTSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS169H6327XTSA1 製品の属性

品番 : BSS169H6327XTSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
シリーズ : SIPMOS®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 170mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 0V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.8V @ 50µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 2.8nC @ 7V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 68pF @ 25V
FET機能 : Depletion Mode
消費電力(最大) : 360mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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