TK040N65Z,S1F 価格設定（USD） [8501個在庫]
- 1 pcs$4.84770
- 品番:
- TK040N65Z,S1F
- 詳細な説明:
- PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的 and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK040N65Z,S1F electronic components. TK040N65Z,S1F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK040N65Z,S1F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK040N65Z,S1F 製品の属性
品番 :
TK040N65Z,S1F
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
57A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
40 mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 2.85mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
105nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6250pF @ 300V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
360W (Tc)
動作温度 :
150°C
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247
パッケージ/ケース :
TO-247-3
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- IPC90R500C3X1SA1
- BUK9214-80EJ
- GP1M004A090H
- IPD122N10N3GBTMA1
- IXFR55N50
- IRFH5303TRPBF
- IPB90N06S4L04ATMA1
- RSS100N03FU6TB
- TPCC8003-H(TE12LQM
- NTLUS3192PZTBG
- SI3853DV-T1-E3
- NTF3055L175T3G
- 2SK2963(TE12L,F)
- ZXMN6A08E6TC
- ZXM64N03XTC
- FDD3580
- NVHL040N65S3F
- FDS3612
- IPW60R055CFD7XKSA1
- FDS7096N3
- IRFSL3207
- NP90N055MUK-S18-AY
- AUIRF4104S
- IPP05N03LA
- IRFR024
- IRFL210TR
- STI5N52U
- IXTH6N90
- STD130N4F6AG
- AUIRF1018E
- STD150N3LLH6
- IRFI7446GPBF
- AUIRFU540Z
- IRFH5210TRPBF
- SQS460EN-T1_GE3
- RQ3E150MNTB1
- TJ15S06M3L(T6L1,NQ
- TK3P50D,RQ(S
- IPN70R1K0CEATMA1
- SISC185N06LX1SA1