メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
29A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
18V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
156 mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 3.3mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
61nC @ 18V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1200pF @ 500V
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB