Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J414TU,LF

KEY Part #: K6421524

SSM6J414TU,LF 価格設定(USD) [708494個在庫]

  • 1 pcs$0.07455
  • 3,000 pcs$0.07418

品番:
SSM6J414TU,LF
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET P CH 20V 6A UF6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J414TU,LF electronic components. SSM6J414TU,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6J414TU,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6J414TU,LF 製品の属性

品番 : SSM6J414TU,LF
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET P CH 20V 6A UF6
シリーズ : U-MOSVI
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 22.5 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 23.1nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1650pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1W (Ta)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : UF6
パッケージ/ケース : 6-SMD, Flat Leads

あなたも興味があるかもしれません