IXYS - IXFP5N100PM

KEY Part #: K6393606

IXFP5N100PM 価格設定(USD) [27344個在庫]

  • 1 pcs$1.65703
  • 10 pcs$1.47855
  • 100 pcs$1.21241
  • 500 pcs$0.93141
  • 1,000 pcs$0.78553

品番:
IXFP5N100PM
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXFP5N100PM electronic components. IXFP5N100PM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFP5N100PM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP5N100PM 製品の属性

品番 : IXFP5N100PM
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220
シリーズ : HiPerFET™, PolarP2™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.3A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.8 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 6V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 33.4nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1830pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 42W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220 Isolated Tab
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

あなたも興味があるかもしれません
  • VN2410L-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • TN0620N3-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • FDD6630A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK.

  • FDD4243

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK.

  • FCD5N60-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • IXTY02N50D

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK.