TSM150NB04CR RLG 価格設定（USD） [378506個在庫]
- 1 pcs$0.09772
- 品番:
- TSM150NB04CR RLG
- 詳細な説明:
- MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-RF, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04CR RLG electronic components. TSM150NB04CR RLG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM150NB04CR RLG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM150NB04CR RLG 製品の属性
品番 :
TSM150NB04CR RLG
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Ta), 41A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
15 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
19nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1092pF @ 20V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.1W (Ta), 56W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PDFN (5x6)
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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