SI8809EDB-T2-E1 価格設定（USD） [2497個在庫]
- 3,000 pcs$0.06946
- 品番:
- SI8809EDB-T2-E1
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI8809EDB-T2-E1 electronic components. SI8809EDB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8809EDB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI8809EDB-T2-E1 製品の属性
品番 :
SI8809EDB-T2-E1
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
90 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
900mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
15nC @ 8V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
500mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
4-Microfoot
パッケージ/ケース :
4-XFBGA
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