IXYS - IXFH42N50P2

KEY Part #: K6402173

IXFH42N50P2 価格設定(USD) [13957個在庫]

  • 1 pcs$3.24796
  • 10 pcs$2.92316
  • 100 pcs$2.40349
  • 500 pcs$2.01373
  • 1,000 pcs$1.75390

品番:
IXFH42N50P2
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 42A TO247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器 and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXFH42N50P2 electronic components. IXFH42N50P2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH42N50P2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH42N50P2 製品の属性

品番 : IXFH42N50P2
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 500V 42A TO247
シリーズ : HiPerFET™, PolarHV™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 42A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 145 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 4mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 92nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5300pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 830W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247AD (IXFH)
パッケージ/ケース : TO-247-3

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVP2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.

  • BS170-D26Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • TK90S06N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 90A DPAK.