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- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH TO262-7.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPB160N04S2L03ATMA2 electronic components. IPB160N04S2L03ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB160N04S2L03ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPB160N04S2L03ATMA2 製品の属性
品番 :
IPB160N04S2L03ATMA2
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH TO262-7
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
160A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
230nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6000pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO263-7-3
パッケージ/ケース :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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