[900個在庫]
- 品番:
- FQB22P10TM-F085
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQB22P10TM-F085 electronic components. FQB22P10TM-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB22P10TM-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQB22P10TM-F085 製品の属性
品番 :
FQB22P10TM-F085
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, QFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
22A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
125 mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
50nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1500pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.75W (Ta), 125W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- AO4407A_102
- SPP08N80C3XK
- IRFS7734PBF
- SUD50N06-07L-E3
- AO4310
- SPD50N03S207GBTMA1
- 2SK3816-DL-E
- IRF9321PBF
- IRLU8726PBF
- BSL802SNL6327HTSA1
- IRF7702TRPBF
- IRF6722MTR1PBF
- AO4474
- IRFR3504TRRPBF
- IPW60R045CPAFKSA1
- IXTA200N075T
- NTD3055-094G
- SPP80N06S2L-06
- IPP26CN10NGHKSA1
- BUZ32
- BUK9515-100A,127
- SPD07N60S5T
- ISL9N302AP3
- FQB3P20TM
- FDC3616N
- FDC697P_F077
- IRL3803SPBF
- IXFH35N30Q
- 64-0055PBF
- IRL3803STRR
- STS9P2UH7
- IPA60R125P6XKSA1
- IPP024N06N3GXKSA1
- IPP65R190C6XKSA1
- PSMN1R7-60BS,118
- FQP6N70
- IPS65R600E6AKMA1
- NVMFS5C645NLWFAFT3G
- BSO040N03MSGXUMA1
- BSO080P03NS3EGXUMA1