Toshiba Semiconductor and Storage - TK13E25D,S1X(S

KEY Part #: K6418058

TK13E25D,S1X(S 価格設定(USD) [50552個在庫]

  • 1 pcs$0.85509
  • 50 pcs$0.85083

品番:
TK13E25D,S1X(S
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK13E25D,S1X(S electronic components. TK13E25D,S1X(S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK13E25D,S1X(S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK13E25D,S1X(S 製品の属性

品番 : TK13E25D,S1X(S
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 250V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 13A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 250 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1100pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 102W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • 2N7000TA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • IRFR4510TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 100V 56A DPAK.

  • AUIRFR2905Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • SPA11N60C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IRFI3306GPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 71A TO220.

  • SPA16N50C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 560V 16A TO220FP.