[13062個在庫]
- 品番:
- FQP19N20L
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 21A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQP19N20L electronic components. FQP19N20L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQP19N20L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQP19N20L 製品の属性
品番 :
FQP19N20L
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 200V 21A TO-220
シリーズ :
QFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
21A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
140 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
35nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2200pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
140W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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