Infineon Technologies - IRLR8103VTRL

KEY Part #: K6413460

[13092個在庫]


    品番:
    IRLR8103VTRL
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 30V 91A DPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRLR8103VTRL electronic components. IRLR8103VTRL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR8103VTRL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLR8103VTRL 製品の属性

    品番 : IRLR8103VTRL
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 91A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 9 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 27nC @ 5V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2672pF @ 16V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 115W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRF5802TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

    • 2N7000RLRMG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

    • RFD8P05SM

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 50V 8A TO-252AA.

    • RFD3055LESM

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.

    • RFD16N05LSM

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA.

    • RFD16N05SM

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA.