VMO580-02F 価格設定（USD） [701個在庫]
- 1 pcs$69.48370
- 10 pcs$64.94178
- 25 pcs$62.67126
- 品番:
- VMO580-02F
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 580A MODULE.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS VMO580-02F electronic components. VMO580-02F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VMO580-02F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VMO580-02F 製品の属性
品番 :
VMO580-02F
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
シリーズ :
HiPerFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
580A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.8 mOhm @ 430A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 50mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
2750nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
-
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
Y3-Li
パッケージ/ケース :
Y3-Li
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