技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
38A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
39 mOhm @ 19A, 10V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
80nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
4360pF @ 20V
消費電力(最大) :
1.65W (Ta), 65W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-262-3
パッケージ/ケース :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA