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ON Semiconductor - NVMFS5C612NLAFT3G

KEY Part #: K6418829

NVMFS5C612NLAFT3G 価格設定（USD） [79368個在庫]

  • 1 pcs$0.65340
  • 5,000 pcs$0.65015
品番:
NVMFS5C612NLAFT3G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 38A 250A 5DFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NVMFS5C612NLAFT3G electronic components. NVMFS5C612NLAFT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS5C612NLAFT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS5C612NLAFT3G 製品の属性

品番 : NVMFS5C612NLAFT3G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 60V 38A 250A 5DFN
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 38A (Ta), 250A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.36 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 91nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 6660pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 3.8W (Ta), 167W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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