IXYS - IXFH50N50P3

KEY Part #: K6394900

IXFH50N50P3 価格設定(USD) [13823個在庫]

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品番:
IXFH50N50P3
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 50A TO-247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH50N50P3 製品の属性

品番 : IXFH50N50P3
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 500V 50A TO-247
シリーズ : HiPerFET™, Polar3™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 50A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 120 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 4mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 85nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4335pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 960W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247AD (IXFH)
パッケージ/ケース : TO-247-3