Infineon Technologies - IRF7805PBF

KEY Part #: K6404042

IRF7805PBF 価格設定(USD) [2148個在庫]

  • 95 pcs$0.57126

品番:
IRF7805PBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRF7805PBF electronic components. IRF7805PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7805PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7805PBF 製品の属性

品番 : IRF7805PBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 13A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 11 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 31nC @ 5V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVP0120ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3.

  • 2SK3309(TE24L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

  • FQD3N50CTF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.

  • IRLR3715TRRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.

  • IXTY55N075T

    IXYS

    MOSFET N-CH 75V 55A TO-252.

  • HUF75829D3S

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.