IXYS - MMIX1F210N30P3

KEY Part #: K6402622

MMIX1F210N30P3 価格設定(USD) [3186個在庫]

  • 1 pcs$13.59350
  • 100 pcs$11.72649

品番:
MMIX1F210N30P3
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 300V 108A MMIX.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS MMIX1F210N30P3 electronic components. MMIX1F210N30P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMIX1F210N30P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MMIX1F210N30P3 製品の属性

品番 : MMIX1F210N30P3
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 300V 108A MMIX
シリーズ : HiPerFET™, Polar3™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 300V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 108A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : -
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 16 mOhm @ 105A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 8mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
Vgs(最大) : -
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 16200pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : -
動作温度 : -
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 24-SMPD
パッケージ/ケース : 24-PowerSMD, 21 Leads

あなたも興味があるかもしれません
  • CPH6354-TL-H

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

  • BS170PSTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • GP2M005A060CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

  • GP2M005A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

  • GP1M016A025CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

  • GP1M008A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.