TK6Q60W,S1VQ 価格設定（USD） [63944個在庫]
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- 品番:
- TK6Q60W,S1VQ
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q60W,S1VQ electronic components. TK6Q60W,S1VQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK6Q60W,S1VQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK6Q60W,S1VQ 製品の属性
品番 :
TK6Q60W,S1VQ
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK
シリーズ :
DTMOSIV
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
820 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.7V @ 310µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
390pF @ 300V
FET機能 :
Super Junction
消費電力（最大） :
60W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I-PAK
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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