Toshiba Semiconductor and Storage - TK6Q60W,S1VQ

KEY Part #: K6418465

TK6Q60W,S1VQ 価格設定(USD) [63944個在庫]

  • 1 pcs$0.67600
  • 75 pcs$0.67264

品番:
TK6Q60W,S1VQ
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, パワードライバーモジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q60W,S1VQ electronic components. TK6Q60W,S1VQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK6Q60W,S1VQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK6Q60W,S1VQ 製品の属性

品番 : TK6Q60W,S1VQ
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK
シリーズ : DTMOSIV
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6.2A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 820 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.7V @ 310µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 390pF @ 300V
FET機能 : Super Junction
消費電力(最大) : 60W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I-PAK
パッケージ/ケース : TO-251-3 Stub Leads, IPak

あなたも興味があるかもしれません
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.