BSC031N06NS3GATMA1 価格設定（USD） [95992個在庫]
- 1 pcs$0.40734
- 5,000 pcs$0.33685
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
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BSC031N06NS3GATMA1 製品の属性
品番 :
BSC031N06NS3GATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 93µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
11000pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta), 139W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TDSON-8
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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