Infineon Technologies - SPP04N80C3XKSA1

KEY Part #: K6400581

SPP04N80C3XKSA1 価格設定(USD) [48206個在庫]

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品番:
SPP04N80C3XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 4A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPP04N80C3XKSA1 製品の属性

品番 : SPP04N80C3XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 800V 4A TO-220AB
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.9V @ 240µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 570pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 63W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3

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