CSD19506KTT 価格設定（USD） [32303個在庫]
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- 500 pcs$1.39378
- 品番:
- CSD19506KTT
- メーカー:
- Texas Instruments
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Texas Instruments CSD19506KTT electronic components. CSD19506KTT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD19506KTT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD19506KTT 製品の属性
品番 :
CSD19506KTT
メーカー :
Texas Instruments
説明 :
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
シリーズ :
NexFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
200A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
156nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
12200pF @ 40V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
375W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DDPAK/TO-263-3
パッケージ/ケース :
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
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