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ON Semiconductor - EFC6602R-TR

KEY Part #: K6523359

EFC6602R-TR 価格設定（USD） [4191個在庫]

  • 5,000 pcs$0.09984
品番:
EFC6602R-TR
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH EFCP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-アレイ and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor EFC6602R-TR electronic components. EFC6602R-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EFC6602R-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EFC6602R-TR 製品の属性

品番 : EFC6602R-TR
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH EFCP
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate, 2.5V Drive
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : -
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : -
Rds On（最大）@ Id、Vgs : -
Vgs（th）（最大）@ Id : -
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 55nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : -
パワー-最大 : 2W
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 6-XFBGA, FCBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : EFCP2718-6CE-020

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