Infineon Technologies - IPI120N10S405AKSA1

KEY Part #: K6418104

IPI120N10S405AKSA1 価格設定(USD) [51567個在庫]

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品番:
IPI120N10S405AKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH TO262-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
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ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI120N10S405AKSA1 製品の属性

品番 : IPI120N10S405AKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH TO262-3
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 120µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 91nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6540pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 190W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO262-3-1
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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