メーカー :
GeneSiC Semiconductor
説明 :
TRANS SJT 1200V 160A SOT227
技術 :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
160A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
-
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
10 mOhm @ 100A
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
14400pF @ 800V
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-227
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC