APT17F120J 価格設定（USD） [2844個在庫]
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- 100 pcs$12.03607
- 250 pcs$11.04576
- 品番:
- APT17F120J
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation APT17F120J electronic components. APT17F120J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT17F120J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT17F120J 製品の属性
品番 :
APT17F120J
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227
シリーズ :
POWER MOS 8™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
18A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
580 mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
300nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
9670pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
545W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISOTOP®
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC
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