Microsemi Corporation - APT17F120J

KEY Part #: K6394533

APT17F120J 価格設定(USD) [2844個在庫]

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品番:
APT17F120J
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT17F120J 製品の属性

品番 : APT17F120J
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227
シリーズ : POWER MOS 8™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 18A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 580 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 2.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 300nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9670pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 545W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : ISOTOP®
パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC