Vishay Siliconix - SIA928DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6525479

SIA928DJ-T1-GE3 価格設定(USD) [498195個在庫]

  • 1 pcs$0.07424
  • 3,000 pcs$0.07013

品番:
SIA928DJ-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SIA928DJ-T1-GE3 electronic components. SIA928DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA928DJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA928DJ-T1-GE3 製品の属性

品番 : SIA928DJ-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.5A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 25 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 4.5nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 490pF @ 15V
パワー-最大 : 7.8W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : PowerPAK® SC-70-6 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SC-70-6 Dual

あなたも興味があるかもしれません
  • SQ3989EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2 P-CH 30V 2.5A 6TSOP.

  • 2N6028G

    ON Semiconductor

    THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92.

  • 2N6027G

    ON Semiconductor

    TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92.

  • 2N6028RLRMG

    ON Semiconductor

    THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92.

  • 2N6028RLRPG

    ON Semiconductor

    THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92.

  • 2N6027RL1G

    ON Semiconductor

    THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92.