Microsemi Corporation - APTM100SK33T1G

KEY Part #: K6396615

APTM100SK33T1G 価格設定（USD） [3038個在庫]

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100 pcs$14.01469

品番:: APTM100SK33T1G

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: MOSFET N-CH 1000V 23A SP1.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

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家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation APTM100SK33T1G electronic components. APTM100SK33T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100SK33T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APTM100SK33T1G 製品の属性

品番 : APTM100SK33T1G

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

シリーズ : -

部品ステータス : Active

FETタイプ : N-Channel

技術 : MOSFET (Metal Oxide)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1000V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 23A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 396 mOhm @ 18A, 10V

Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 2.5mA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 305nC @ 10V

Vgs（最大） : ±30V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 7868pF @ 25V

FET機能 : -

消費電力（最大） : 390W (Tc)

動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Chassis Mount

サプライヤーデバイスパッケージ : SP1

パッケージ/ケース : SP1

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