Vishay Siliconix - IRF630STRLPBF

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IRF630STRLPBF 価格設定(USD) [93019個在庫]

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品番:
IRF630STRLPBF
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF630STRLPBF 製品の属性

品番 : IRF630STRLPBF
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 400 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 800pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3W (Ta), 74W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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