IPB180N04S302ATMA1 価格設定（USD） [52792個在庫]
- 1 pcs$0.74065
- 1,000 pcs$0.70536
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPB180N04S302ATMA1 electronic components. IPB180N04S302ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB180N04S302ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPB180N04S302ATMA1 製品の属性
品番 :
IPB180N04S302ATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
180A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 230µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
210nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
14300pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO263-7-3
パッケージ/ケース :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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