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- 品番:
- IRFU1N60A
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFU1N60A electronic components. IRFU1N60A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFU1N60A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFU1N60A 製品の属性
品番 :
IRFU1N60A
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
229pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
36W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-251AA
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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