CSD23382F4T 価格設定（USD） [488617個在庫]
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- 品番:
- CSD23382F4T
- メーカー:
- Texas Instruments
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Texas Instruments CSD23382F4T electronic components. CSD23382F4T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD23382F4T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD23382F4T 製品の属性
品番 :
CSD23382F4T
メーカー :
Texas Instruments
説明 :
MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
シリーズ :
FemtoFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
76 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
1.35nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
235pF @ 6V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
500mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
3-PICOSTAR
パッケージ/ケース :
3-XFDFN
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