Infineon Technologies - IPU13N03LA G

KEY Part #: K6413228

[13173個在庫]


    品番:
    IPU13N03LA G
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 25V 30A TO-251.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPU13N03LA G 製品の属性

    品番 : IPU13N03LA G
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 25V 30A TO-251
    シリーズ : OptiMOS™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 25V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 30A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 12.8 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 20µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8.3nC @ 5V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1043pF @ 15V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 46W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : P-TO251-3-1
    パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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