Nexperia USA Inc. - BUK9Y15-100E,115

KEY Part #: K6400657

BUK9Y15-100E,115 価格設定(USD) [166801個在庫]

  • 1 pcs$0.22174
  • 1,500 pcs$0.20445

品番:
BUK9Y15-100E,115
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. BUK9Y15-100E,115 electronic components. BUK9Y15-100E,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK9Y15-100E,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BUK9Y15-100E,115 製品の属性

品番 : BUK9Y15-100E,115
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 69A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 14.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.1V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 45.8nC @ 5V
Vgs(最大) : ±10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6139pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 195W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : LFPAK56, Power-SO8
パッケージ/ケース : SC-100, SOT-669

あなたも興味があるかもしれません
  • FQD3P50TM-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK.

  • IRFI720GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220FP.

  • IRFU9024PBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK.

  • CSD13306WT

    Texas Instruments

    MOSFET N-CH 12V 6DSBGA.

  • CSD17575Q3T

    Texas Instruments

    MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON.

  • CSD17555Q5A

    Texas Instruments

    MOSFET N-CH 30V 100A 8SON.