Diodes Incorporated - DMN2112SN-7

KEY Part #: K6393496

DMN2112SN-7 価格設定(USD) [717408個在庫]

  • 1 pcs$0.05156
  • 3,000 pcs$0.04385

品番:
DMN2112SN-7
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DMN2112SN-7 electronic components. DMN2112SN-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2112SN-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2112SN-7 製品の属性

品番 : DMN2112SN-7
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.2A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 100 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.2V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 220pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 500mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SC-59-3
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

あなたも興味があるかもしれません
  • VN2410L-G-P013

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • VN2410L-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • FDD1600N10ALZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3.

  • DKI10526

    Sanken

    MOSFET N-CH 100V 19A TO-252.

  • DKI06261

    Sanken

    MOSFET N-CH 60V 25A TO-252.

  • DKI04035

    Sanken

    MOSFET N-CH 40V 48A TO-252.