Vishay Siliconix - SI5486DU-T1-GE3

KEY Part #: K6406390

[1336個在庫]


    品番:
    SI5486DU-T1-GE3
    メーカー:
    Vishay Siliconix
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI5486DU-T1-GE3 製品の属性

    品番 : SI5486DU-T1-GE3
    メーカー : Vishay Siliconix
    説明 : MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
    シリーズ : TrenchFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 12A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.8V, 4.5V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 15 mOhm @ 7.7A, 4.5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 54nC @ 8V
    Vgs(最大) : ±8V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2100pF @ 10V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 3.1W (Ta), 31W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
    パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN

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