Infineon Technologies - IPT020N10N3ATMA1

KEY Part #: K6417028

IPT020N10N3ATMA1 価格設定(USD) [23384個在庫]

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品番:
IPT020N10N3ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPT020N10N3ATMA1 製品の属性

品番 : IPT020N10N3ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 300A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2 mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 272µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 156nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 11200pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 375W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-HSOF-8-1
パッケージ/ケース : 8-PowerSFN

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