Vishay Siliconix - SI4838DY-T1-E3

KEY Part #: K6396428

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品番:
SI4838DY-T1-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4838DY-T1-E3 製品の属性

品番 : SI4838DY-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 17A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3 mOhm @ 25A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 600mV @ 250µA (Min)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 60nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.6W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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