DMN2009LSS-13 価格設定（USD） [289449個在庫]
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- 2,500 pcs$0.11355
- 品番:
- DMN2009LSS-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN2009LSS-13 electronic components. DMN2009LSS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2009LSS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN2009LSS-13 製品の属性
品番 :
DMN2009LSS-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
58.3nC @ 10V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2555pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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