DMN10H120SE-13 価格設定（USD） [368832個在庫]
- 1 pcs$0.10028
- 2,500 pcs$0.06676
- 品番:
- DMN10H120SE-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN10H120SE-13 electronic components. DMN10H120SE-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN10H120SE-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN10H120SE-13 製品の属性
品番 :
DMN10H120SE-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.6A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
110 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
10nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
549pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.3W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-223
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- PHP14NQ20T,127
- 2SJ661-DL-1EX
- 2SK3817-DL-E
- IRF1405ZL-7PPBF
- IPB80N06S209ATMA1
- IXTP102N15T
- FDJ129P_F077
- IRF3704ZCLPBF
- FDS8812NZ
- NTD70N03R
- IPSH5N03LA G
- IPP07N03LB G
- IPI100N06S3-04
- HUF76633P3
- FQI9N15TU
- IRLI610ATU
- FQP7N10L
- FQPF5N20L
- FDB8874
- IRL3705ZSTRL
- IRF7832Z
- BSS123ATA
- 2N6760
- RJK6006DPP-E0#T2
- IRLBD59N04ETRLP
- BSS209PW
- IRFR3707TR
- STP12PF06
- IXFH35N30
- STP8NM60ND
- SI1011X-T1-GE3
- IPC60R099C6X1SA1
- IPP60R180C7XKSA1
- IPP120N08S404AKSA1
- IRFS23N15DTRLP
- STD15N60M2-EP
- STD12N50M2
- IPD12CN10NGATMA1
- TK9P65W,RQ
- PSMN7R0-30YL,115