Diodes Incorporated - DMG4N65CTI

KEY Part #: K6396256

DMG4N65CTI 価格設定(USD) [76194個在庫]

  • 1 pcs$0.41392
  • 50 pcs$0.30208
  • 100 pcs$0.26313
  • 500 pcs$0.19490
  • 1,000 pcs$0.15592

品番:
DMG4N65CTI
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DMG4N65CTI electronic components. DMG4N65CTI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG4N65CTI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG4N65CTI 製品の属性

品番 : DMG4N65CTI
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 13.5nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 900pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 8.35W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : ITO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab