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ON Semiconductor - FDFC3N108

KEY Part #: K6411221

[13866個在庫]

    品番:
    FDFC3N108
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FDFC3N108 electronic components. FDFC3N108 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDFC3N108, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDFC3N108 製品の属性

    品番 : FDFC3N108
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3A (Ta)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 2.5V, 4.5V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 70 mOhm @ 3A, 4.5V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 1.5V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 4.9nC @ 4.5V
    Vgs（最大） : ±12V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 355pF @ 10V
    FET機能 : Schottky Diode (Isolated)
    消費電力（最大） : -
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SuperSOT™-6
    パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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