Infineon Technologies - BSO615CT

KEY Part #: K6524518

[3805個在庫]


    品番:
    BSO615CT
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-シングル and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies BSO615CT electronic components. BSO615CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSO615CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSO615CT 製品の属性

    品番 : BSO615CT
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
    シリーズ : SIPMOS®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N and P-Channel
    FET機能 : Logic Level Gate
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.1A, 2A
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 110 mOhm @ 3.1A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 20µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 22.5nC @ 10V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 380pF @ 25V
    パワー-最大 : 2W
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    サプライヤーデバイスパッケージ : PG-DSO-8

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