Infineon Technologies - IRFR4615PBF

KEY Part #: K6407659

IRFR4615PBF 価格設定(USD) [897個在庫]

  • 3,000 pcs$0.30235

品番:
IRFR4615PBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 150V 33A D-PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRFR4615PBF electronic components. IRFR4615PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR4615PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR4615PBF 製品の属性

品番 : IRFR4615PBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 150V 33A D-PAK
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 150V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 33A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 42 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 26nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1750pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 144W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVN4206AVSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • 2N7000-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

  • BS170_J35Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRLR3110ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

  • IRFR3707ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 56A DPAK.

  • IRFR3910TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 16A DPAK.