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- 品番:
- PSMN9R0-30LL,115
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V QFN3333.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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PSMN9R0-30LL,115 製品の属性
品番 :
PSMN9R0-30LL,115
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 30V QFN3333
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
21A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9 mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.15V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20.6nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1193pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
50W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-DFN3333 (3.3x3.3)
パッケージ/ケース :
8-VDFN Exposed Pad
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