SP8M4FRATB 価格設定（USD） [91257個在庫]
- 1 pcs$0.42847
- 品番:
- SP8M4FRATB
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- 4V DRIVE NCHPCH MOSFET CORRESP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor SP8M4FRATB electronic components. SP8M4FRATB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SP8M4FRATB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SP8M4FRATB 製品の属性
品番 :
SP8M4FRATB
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
4V DRIVE NCHPCH MOSFET CORRESP
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9A (Ta), 7A (Ta)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
18 mOhm @ 9A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
15nC @ 5V, 25nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
パワー-最大 :
2W
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- CCS020M12CM2
- GMM3X180-004X2-SMDSAM
- AON7934_101
- AON6884L
- BUK9MJJ-65PLL,518
- CTLDM8120-M832DS TR
- 2N7002BKS/ZLX
- SI5933DC-T1-E3
- SI1023X-T1-E3
- IRF7756TR
- AO4807L
- AUIRF7313Q
- BSL308CL6327HTSA1
- SI5975DC-T1-GE3
- SI4913DY-T1-GE3
- IRFH7911TR2PBF
- NTLUD3191PZTBG
- GWM220-004P3-SMD SAM
- SI9936DY
- TPCP8203(TE85L,F)
- IRF7309QTRPBF
- IRF7306QTRPBF
- APTC80AM75SCG
- SI7844DP-T1-E3
- SI5943DU-T1-E3
- SI5504DC-T1-E3
- SI4992EY-T1-E3
- SI4330DY-T1-E3
- SI3911DV-T1-E3
- FDW2501N
- IRF7905PBF
- FDC6000NZ
- IRF7901D1TR
- NDS9953A
- STS1DNF20
- SQ3585EV-T1_GE3
- SQJ260EP-T1_GE3
- SI4228DY-T1-E3
- IRF7309TRPBF
- SI1034CX-T1-GE3