IPD031N03LGBTMA1 価格設定（USD） [168360個在庫]
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- 2,500 pcs$0.20154
- 品番:
- IPD031N03LGBTMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPD031N03LGBTMA1 electronic components. IPD031N03LGBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD031N03LGBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD031N03LGBTMA1 製品の属性
品番 :
IPD031N03LGBTMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
90A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
51nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5300pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
94W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO252-3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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