SIHG24N65E-E3 価格設定（USD） [22071個在庫]
- 1 pcs$1.86733
- 500 pcs$1.77038
- 品番:
- SIHG24N65E-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック, ダイオード-RF and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHG24N65E-E3 electronic components. SIHG24N65E-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG24N65E-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHG24N65E-E3 製品の属性
品番 :
SIHG24N65E-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
24A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
145 mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
122nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2740pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
250W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247AC
パッケージ/ケース :
TO-247-3
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- BUK9E2R3-40E,127
- IPB60R330P6ATMA1
- MCH6344-TL-W
- 2N7002 BK
- IPI80N04S2H4AKSA2
- IPU50R2K0CEBKMA1
- BSF024N03LT3GXUMA1
- FDV302P-NB8V001
- IXFL44N60
- NVTS4409NT1G
- FDD8445-F085
- NTMFS5834NLT1G
- BUK9E04-40A,127
- FQD16N25CTM_F080
- NTMFS4121NT3G
- IPP120N06NGAKSA1
- FQP90N10V2
- E3M0065090D
- FQD10N20TM
- FQI17N08LTU
- NTP13N10G
- NTD14N03R-001
- MGSF1P02LT1
- SPB100N03S2-03
- IRFR3707
- IRFBE30STRR
- PMN23UN,135
- STW17N62K3
- STB16NM50N
- IRFPS3815PBF
- IPB019N08N3GATMA1
- IPC30S2SN08NX2MA1
- IPI120N04S401AKSA1
- NVMFS5C406NT1G
- AUIRFR2407TRL
- SIHD7N60ET4-GE3
- TK7P65W,RQ
- PSMN1R7-30YL,115
- BSL372SNH6327XTSA1
- RCD051N20TL