Vishay Semiconductor Diodes Division - FB180SA10

KEY Part #: K6414978

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    品番:
    FB180SA10
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FB180SA10 electronic components. FB180SA10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FB180SA10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FB180SA10 製品の属性

    品番 : FB180SA10
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 180A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6.5 mOhm @ 108A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 380nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 10700pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 480W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Chassis Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-227
    パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC

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